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8/12寸SOI代工业务工艺流程:晶圆磨边-晶圆键合-晶圆减薄
对准精度:≤50um,顶硅厚度≥2um、埋氧厚度100nm-5um,颗粒度≤30ea@0.2um
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CSAM结果:无>2mm空隙 | 晶圆片顶视图:晶圆片边缘修整2.5mm |
8/12寸SOI代工业务工艺流程:晶圆磨边-晶圆键合-晶圆减薄
对准精度:≤50um,顶硅厚度≥2um、埋氧厚度100nm-5um,颗粒度≤30ea@0.2um
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CSAM结果:无>2mm空隙 | 晶圆片顶视图:晶圆片边缘修整2.5mm |